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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAN217W
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
?Land size figure(Unit : mm)
Rectifying small power
?Features
Small mold type.(EMD3)
?Structure
?Construction
Silicon epitaxial
?Taping dimensions
(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25?C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive) 80VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (Single) 300IFM
mA
Average rectified forward current 100Io
mA
Surge current (t=1us) 4Isurge
A
Power dissipation 150Pd
mW
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristics
(Ta=25
?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Reverse recovery time
Storage temperature
?55 to ?150
Conditions
Parameter
Parameter
EMD3
1.0
0.7
0.5
0.5
0.7
0.7
0.6
0.6
1.3
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.1φ1.5?0.1
0?0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.1
1.8±0.2
0.3±0.1
1.8±0.1
5.5±0.2
0.9±0.2
0～0.1
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2011.06 - Rev.B
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